職名 助教
氏名 かわむら たかひろ
河村 貴宏
生年月 1979.06
所属 部局 工学研究科
学科・専攻 機械工学専攻
講座 量子・電子機械
教育研究分野  
TEL 059-231-9364
FAX  
E-mail tkawamura@mach. (末尾に mie-u.ac.jp を補ってください)
個人のホームページ https://researchmap.jp/md_simulation/?lang=japanese
学歴 九州大学工学部機械航空工学科 学士課程 (1999年04月~2003年03月) 卒業・修了
九州大学大学院工学府航空宇宙工学専攻 修士課程・博士前期課程 (2003年04月~2005年03月) 卒業・修了
九州大学大学院工学府航空宇宙工学専攻 博士課程・博士後期課程 (2005年04月~2008年03月) 卒業・修了
学位 2008.03 博士(工学) 九州大学
所属学会 応用物理学会 日本結晶成長学会 日本金属学会
社会活動  
職歴 2008.04~2010.03 大阪大学大学院工学研究科 特任研究員
2010.04~ 三重大学大学院工学研究科機械工学専攻 助教
学術(芸術)賞 日本結晶成長学会講演奨励賞,日本結晶成長学会
専門分野 結晶工学 結晶成長学 固体物理学
現在の研究課題 ワイドギャップ半導体の結晶成長シミュレーション及び物性解析
担当科目 機械工学フレッシュマンゼミナール 機械工学実験及び実習I 機械工学実験及び実習II 機械工学実験及び実習III 機械工学特別演習 専門英語
主な業績等 Characterization of CsLiB6O10 Crystal Grown in a Dry Atmosphere 共著 2010.07 Japanese Journal of Applied Physics 49 65502-

Investigation of GaN Solution Growth Processes on Ga- and N-Faces by Molecular Dynamics Simulation 共著 2012.01 Japanease Journal of Applied Physics 51

Molecular dynamics simulation of diffusion behavior of N atoms on the growth surface in GaN solution growth 共著 2012.04 Journal of Crystal Growth 351 32-36

Structural Analysis of Carbon-Added Na-Ga Melts in Na Flux GaN Growth by First-Principles Calculation 共著 2013 Japanese Journal of Applied Physics

Molecular beam epitaxy growth of GaN under Ga-rich conditions investigated by molecular dynamics simulation 共著 2014.04 Japanese Journal of Applied Physics 53 05FL08-

Molecular dynamics simulation of graphene growth by surface decomposition of 6H-SiC(0001) and (000-1) 共著 2014.05 Japanese Journal of Applied Physics 53 065601-

First-principles investigation of GaN growth process in carbon-added Na-flux method 共著 2015.05 Physica Status Solidi B 252 1084-1088

分子動力学法を用いたTiAl系金属間化合物における転位挙動の解析 共著 2015.08 日本金属学会誌 79 413-418

Mechanism for enhanced single-crystal GaN growth in the C-assisted Na-flux method 共著 2015.12 Applied Physics Express 9 015601-1-015601-4

Strain energy analysis of screw dislocations in 4H-SiC by molecular dynamics 共著 2016.01 Japanese Journal of Applied Physics 55 031301-

First-principles study of the surface phase diagrams of GaN(0001) and (000-1) under oxide vapor phase epitaxy growth conditions 共著 2017.03 Physica Status Solidi B 254 1600706-1-1600706-6

First-principles study of polar, nonpolar, and semipolar GaN surfaces during oxide vapor phase epitaxy growth 共著 2018.10 Japanese Journal of Applied Physics 57 115504-1-115504-7

First-Principles Calculation of Bandgaps of Al1-xInxN Alloys and Short-Period Al1-xInxN/Al1-yInyN Superlattices 共著 2019.10 Physica Status Solidi B 1900530-1-1900530-5

Effect of water impurity in CsLiB6O10 crystals on bulk laser-induced damage threshold and transmittance in the ultraviolet region 共著 2009.03 Applied Optics 48 1658-1662

Crystal growth of CsLiB6O10 in a dry atmosphere and from a stoichiometric melt composition 共著 2010 Journal of Crystal Growth 312 1118-1121

Investigation of thermal conductivity of a fullerene peapod by molecular dynamics simulation 共著 2007.11 Journal of Crystal Growth 310 2301-2305

Thermal conductivity of SiC calculated by molecular dynamics 共著 2008.12 Japanese Journal of Applied Physics 47 8898-8901

An investigation of thermal conductivity of nitride-semiconductor nanostructures by molecular dynamics simulation 共著 2007.11 Journal of Crystal Growth 298 251-253

Molecular dynamics simulation of thermal conductivity of GaN/AlN quantum dot superlattices 共著 2007.05 Physical Status Solidi (c) 4 2289-2292

Investigation of thermal conductivity of nitride mixed crystals and superlattices by molecular dynamics 共著 2006.05 Physical Status Solidi (c) 3 1695-1699

Investigation of thermal conductivity of GaN by molecular dynamics 共著 2005.08 Journal of Crystal Growth 284 197-202

Handbook of Crystal Growth, 2nd Edition, Bulk Crystal Growth 共著 2014.12 Elsevier