職名 教授
氏名 なかむら たかお
中村 孝夫
生年月 1961.10
所属 部局 みえの未来図共創機構
学科・専攻 産学官連携推進部門
講座  
教育研究分野  
TEL 059-231-5378, Ext. 6904
FAX  
E-mail nakamura-takao@mrpco. (末尾に mie-u.ac.jp を補ってください)
個人のホームページ  
学歴 京都大学大学院工学研究科 修士課程・博士前期課程 (1984年04月01日~1986年03月31日) 卒業・修了
学位 1996.03 博士(工学) 東京大学
所属学会 応用物理学会 表面真空学会 日本結晶成長学会 ワイドバンドギャップ半導体学会
社会活動  
職歴 1986.04~2000.03 住友電気工業株式会社
2000.04~2023.01 東京大学 特任教授
学術(芸術)賞 新機能素子協会開発賞,超電導デバイスに関する研究開発,1998.10,新機能素子協会
応用物理学会講演奨励賞,ZnSe白色LED長寿命化,2004.03,応用物理学会
応用物理学会論文賞JJAP論文賞,ZnSe白色LED長寿命化,2005.09,応用物理学会論文賞JJAP論文賞(2005/9)
応用物理学会優秀論文賞,純緑色レーザの発振,2010.09,応用物理学会
IEEE Senior Member,IEEE Senior Member,2015.02,IEEE
応用物理学会フェロー,化合物半導体デバイスの研究開発・実用化,2019.09,応用物理学会
応用物理学会優秀論文賞,UV-LEDに関する研究,2024.03,応用物理学会
専門分野 ワイドギャップ半導体デバイス
真空工学、薄膜技術
現在の研究課題  
担当科目 半導体特論
電子デバイス
主な業績等 (1) 総説
1)T. Nakamura and K. Motoki,” GaN substrate technologies for optical devices”, Proceedings of the IEEE 101(2013)2221.
2) 上野 昌樹,片山 浩二,池上 隆俊,中村 孝夫、”半極性 面窒化ガリウム基板上純緑色半導体レーザーの開発”、応用物理 6(2012)497.
3) 塩谷 陽平,善積 祐介,京野 孝史,足立 真寛,住友 隆道,徳山 慎司,秋田 勝史,池上 隆俊,上野 昌樹,片山 浩二,中村 孝夫、”半極性 面GaN基板上緑色レーザーの開発”、レーザ研究 38(2010)261.
4) 中村孝夫、”半極性面(20-21) GaN基板上緑色レーザ”, 電子通信学会誌93(2010)554.
5) T. Nakamura, “Development of ZnSe-based white light Emitting diodes with longer lifetime of over 10,000hrs ”, Electrical Eng. in Japan 154(2006)42.
6) 中村孝夫、“長寿命ZnSe白色LEDの開発”、電気学会論文誌C 125(2005)195.
7) 中村孝夫、“ZnSe白色LEDの動向”、電気学会技術報告 951(2004)11.
8) 平山秀樹、秋田勝史、京野孝史、中村孝夫、青柳克信、“InAlGaN4元混晶を用いた紫外LEDの短波長化と高出力化”、レーザ研究 32(2004)402.
9) 平山秀樹、秋田勝史、中村孝夫、木山誠、青柳克信、“InAlGaN4元混晶を用いた紫外LEDの短波
長化と高出力化”、信学技報 ED2003-134, CPM2003-104, LQE2003-52.
10) 平山秀樹、秋田勝史、京野孝史、秋田勝史、中村孝夫、石橋幸治、“窒化物4元混晶を用いた高効率紫外LED”、電学論B、122(2002)1.

(2)著書(すべて分筆)
1) ワイドギャップ半導体―あけぼのから最前線へ(吉川明彦監修、赤﨑勇・松波弘之編著、培風館、
2013)
2) LED照明信頼性ハンドブック(LED推進協議会、日刊工業新聞、2008)
3) LED照明ハンドブック(LED推進協議会、オーム社、2006)
4) Wide Bandgap Semiconductors (Springer, 2007)
5) ワイドギャップ半導体光・電子デバイス(高橋清監修、森北出版、2006)
6) 白色LED照明システム技術の応用と展望(田口常正監修、CMS出版、2003)
7) 白色LED照明システムの高輝度・高効率・長寿命化技術(田口常正監修、情報技術協会、2003)