| 教員紹介トップページへ | 三重大学トップページへ |
| 職名 | 教授 | ||||||||||||||||
| 氏名 | やお よんちゃお 姚 永昭 |
||||||||||||||||
| 生年月 | |||||||||||||||||
|
|||||||||||||||||
| TEL | 内線：6915 | ||||||||||||||||
| FAX | |||||||||||||||||
| yao@icsdf. (末尾に mie-u.ac.jp を補ってください) | |||||||||||||||||
| ｒｅｓｅａｒｃｈｍａｐ | https://researchmap.jp/JFCCYAO/ | ||||||||||||||||
| 三重大学全学SEEDS集 | |||||||||||||||||
| 個人のホームページ | |||||||||||||||||
| 学歴 | 筑波大学, 数理物質科学研究科, 物質材料工学専攻 博士課程・博士後期課程 (～2007年) 卒業・修了
中国清華大学大学院, 電気電子工学研究科, 電気電子工学専攻 修士課程・博士前期課程 (～2004年) 卒業・修了 |
||||||||||||||||
| 学位 | 2007.12 博士（工学） 筑波大学
|
||||||||||||||||
| 所属学会 | ・応用物理学会
・応用物理学会 先進パワー半導体分科会 ・結晶成長学会 ・SPring-8ユーザー協同体 ・KEK-PFユーザーアソシエーション |
||||||||||||||||
| 社会活動 | ・高エネルギー加速器研究機構 Photon Factory User Association, 運営委員会委員
・文部科学省 科学技術予測・政策基盤調査研究センター, 科学技術専門家ネットワーク・専門調査員 ・SPring-8/SACLA成果審査委員会査読者 ・国際会議DRIP (International Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors) 国際運営委員 International Steering Committee ・国際標準化, GaN結晶の転位検出方法に関する国際標準化 委員 |
||||||||||||||||
| 職歴 | ・2008-2009 物質材料研究機構（NIMS）ポスドク
・2009-2024 ファインセラミックスセンター 上級研究員→主任研究員→機能性材料G グループ長 ・2024より 三重大学 半導体・デジタル未来創造センター 教授 |
||||||||||||||||
| 学術（芸術）賞 | ・2024年度（第51回）研究助成,公益財団法人 岩谷直治記念財団,公益財団法人 岩谷直治記念財団
・2023年度 研究助成,公益財団法人 池谷科学技術振興財団,公益財団法人 池谷科学技術振興財団 ・2022年度（第54回）倉田奨励金,公益財団法人 日立財団,公益財団法人 日立財団 ・2022年度 基礎科学研究助成,公益財団法人 住友財団,公益財団法人 住友財団 ・2021年度 研究助成,公益財団法人 大倉和親記念財団,公益財団法人 大倉和親記念財団 ・第46回 学術写真賞 優秀賞,公益社団法人 日本セラミックス協会,公益社団法人 日本セラミックス協会 ・2021年度 研究助成,公益財団法人 村田学術振興財団,公益財団法人 村田学術振興財団 ・第45回 学術写真賞 特別賞,公益社団法人 日本セラミックス協会,公益社団法人 日本セラミックス協会 ・第42回 研究助成,公益財団法人 日本板硝子材料工学助成会,公益財団法人 日本板硝子材料工学助成会 ・2019年度 共同研究奨励金,公益財団法人 永井科学技術財団,公益財団法人 永井科学技術財団 ・第12回 応用物理学会Poster Award,公益社団法人 応用物理学会,公益社団法人 応用物理学会 ・第35回（2013年度）応用物理学会 論文賞,公益社団法人 応用物理学会,公益社団法人 応用物理学会 ・2012年 Journal of the Ceramic Society of Japan 優秀論文賞,公益社団法人 日本セラミックス協会,公益社団法人 日本セラミックス協会 ・平成23年度 技術振興賞,一般社団法人 日本ファインセラミックス協会,一般社団法人 日本ファインセラミックス協会 ・第11回 講演会 講演奨励賞,公益社団法人 日本表面科学会 中部支部,公益社団法人 日本表面科学会 中部支部 ・第5回 元東京大学総長 向坊 隆 記念研究奨励賞,一般社団法人 日中科学技術交流協会,一般社団法人 日中科学技術交流協会 |
||||||||||||||||
| 専門分野 | ・結晶工学
・パワーデバイス ・欠陥物理 ・放射光XRT ・オペランド観測 |
||||||||||||||||
| 現在の研究課題 | 半導体結晶の大規模欠陥検出と機械学習
実動作中の半導体デバイスのオペランド観測 |
||||||||||||||||
| 担当科目 | ・材料科学
・半導体デバイス工学特論 ・半導体産業特論 ・半導体デジタル概論 ・半導体デバイス工学PBL ・固体物理学 |
||||||||||||||||
| 主な業績等 | ＝＝＝★＝＝＝学術誌論文＝＝＝★＝＝＝
[102] Y. Yao, D. Katsube, H. Yamaguchi, and Y. Ishikawa, Dislocations in (011)-oriented vertical Bridgman β-Ga2O3 substrates, Appl. Phys. Lett. 129, 051904 (2026). [101] Y. Yao, D. Katsube, H. Yamaguchi, S. Yamaguchi, D. Wakimoto, H. Miyamoto, and Y. Ishikawa, Three-dimensional visualization of lattice defects in β-Ga2O3 via synchrotron-radiation Borrmann-effect X-ray topo-tomography, Appl. Phys. Lett. 128, 231904 (2026). [100] Y. Sugawara, Y. Yao, and Y. Ishikawa, Determination of Burgers vectors of dislocations in monoclinic β-Ga2O3 crystals by large-angle convergent-beam electron diffraction, Jpn. J. Appl. Phys. 65, 110901 (2026). [099] Y. Yao, K. Mizuno, K. Ohnishi, Y. Ishikawa, M. Kitahara, T. Tomida, R. Murakami, V. Kochurikhin, L. Gushchina, K. Kamada, K. Kakimoto, and A. Yoshikawa, Synchrotron-radiation x-ray topography and reticulography of bulk β-Ga2O3 crystals grown by the cold crucible method, J. Appl. Phys. 139, 205101 (2026). [098] K. Ohnishi, K. Iso, H. Ikeda, Y. Tsusaka, and Y. Yao, Comprehensive determination of Burgers vectors of threading dislocations in GaN substrates by combining reflection and transmission synchrotron-radiation x-ray topography, J. Appl. Phys. 139, 195701 (2026). [097] Y. Ishikawa, R. Hattori, Y. Yao, D. Katsube, and K. Sato, High-throughput, non-destructive, three-dimensional imaging of GaN threading dislocations with in-plane Burgers vector component via phase-contrast microscopy, Appl. Phys. Express 19, 041003 (2026).【APEX Spotlights】 [096] K. Kakimoto, T. Tomida, V. Kochurikhin, M. Kitahara, K. Kamada, S. Nakano, Y. Yao, K. Akaiwa, and A. Yoshikawa, Effects of impurity segregation on temperature distributions in β-Ga2O3 crystals grown using the vertical Bridgman method, J. Cryst. Growth 686, 128606 (2026). [095] Y. Ishikawa, D. Katsube, Y. Yao, K. Sato, and K. Sasaki, High-speed, high-resolution, three-dimensional imaging of threading dislocations in β-Ga2O3 via phase-contrast microscopy, APL Mater. 14, 021104 (2026). [094] Y. Yao, Y. Tsusaka, and Y. Ishikawa, Kinematical and dynamical contrast of dislocations in thick GaN substrates observed by synchrotron-radiation x-ray topography under six-beam diffraction conditions, J. Appl. Phys. 139, 065102 (2026).【Featured Article】 [093] R. Hattori, Y. Yao, and Y. Ishikawa, Polarization superimposed phase contrast microscope inspection of dislocations in SiC epitaxial layer, Solid State Phenom. 376, 47 (2025). [092] N. Okada, R. Hidaka, T. Kowaki, T. Saito, Y. Sugawara, D. Yokoe, Y. Yao, Y. Ishikawa, S. Kurai, Y. Yamada, and K. Tadatomo, Fabrication of high-quality Al-polar and N-polar AlN templates through self-forming tiny-pit layers and polarity inversion, J. Appl. Phys. 136, 025705 (2024). [DOI:10.1063/5.0198321] [091] Y. Ishikawa, Y. Sugawara, Y. Yao, M. Miyoshi and T. Egawa, Characterization of dislocations induced by Vickers indentation in GaN for explaining size ratios of dislocation patterns, J. Mater. Sci. 59, 2974-2987 (2024). [090] Y. Yao, Y. Sugawara, K. Sasaki, A. Kuramata and Y. Ishikawa, Anisotropic mechanical properties of β-Ga2O3 single-crystal measured via angle-dependent nanoindentation using a Berkovich indenter, J. Appl. Phys. 134, 215106-215106-17 (2023). [089] Y. Yao, Y. Tsusaka, K. Hirano, K. Sasaki, A. Kuramata, Y. Sugawara and Y. Ishikawa, Three-dimensional distribution and propagation of dislocations in β-Ga2O3 revealed by Borrmann effect X-ray topography, J. Appl. Phys. 134, 155104-155104-10 (2023). [088] T. Kowaki, W. Matsumura, K. Hanasaku, R. Okuno, D. Inahara, S. Matsuda, S. Kurai, Y. Yao, Y. Ishikawa, N. Okada and Y. Yamada, Si-doping effects in AlGaN channel layer on performance of N-polar AlGaN/AlN FETs, Phys. Status Solidi A 220, 2200872-2200872-6 (2023). [087] D. Inahara, S. Matsuda, W. Matsumura, R. Okuno, K. Hanasaku, T. Kowaki, M. Miyamoto, Y. Yao, Y. Ishikawa, A. Tanaka, Y. Honda, S. Nitta, H. Amano, S. Kurai, et al., Investigation of electrical properties of N-polar AlGaN/AlN heterostructure field-effect transistors, Phys. Status Solidi A 220, 2200871-2200871-5 (2023). [086] Y. Ishikawa, Y. Sugawara, D. Yokoe, K. Sato, Y. Yao, K. Watanabe and T. Okawa, Characterization of dislocations at the emission site by emission microscopy in GaN p-n diodes, J. Mater. Sci. 58, 9221-9232 (2023). [085] Y. Yao, K. Hirano, K. Sasaki, A. Kuramata, Y. Sugawara and Y. Ishikawa, Lattice misorientation at domain boundaries in β-Ga2O3 single-crystal substrates observed via synchrotron radiation X-ray diffraction imaging and X-ray reticulography, J. Am. Ceram. Soc. 106, 5487-5500 (2023).【Editor’s Choice】 [084] S. Isaji, I. Maeda, N. Ogawa, R. Kosaka, N. Hasuike, T. Isshiki, K. Kobayashi, Y. Yao and Y. Ishikawa, Relationship between propagation angle of dislocations in β-Ga2O3 (001) bulk wafers and their etch pit shapes, J. Electron. Mater. 52, 5093-5098 (2023). [083] K. Kakimoto, I. Takahashi, T. Tomida, K. Kamada, Y. Yao, S. Nakano and A. Yoshikawa, 3D calculation studies of dislocation density in a β-Ga2O3 crystal grown by vertical Bridgman method, J. Cryst. Growth 609, 127126-127126-6 (2023). [082] Y. Yao, D. Wakimoto, H. Miyamoto, K. Sasaki, A. Kuramata, K. Hirano, Y. Sugawara and Y. Ishikawa, X-ray topographic observation of dislocations in β-Ga2O3 Schottky barrier diodes and their glide and multiplication under reverse bias, Scr. Mater. 226, 115216-115216-6 (2023). [081] L. You, W. Matsumura, K. Ataka, S. Matsuda, D. Inahara, K. Hanasaku, R. Okuno, T. Kowaki, Y. Yao, Y. Ishikawa, S. Kurai, N. Okada, K. Tadatomo and Y. Yamada, Growth and characterization of nitrogen-polar AlGaN/AlN and demonstration of field effect transistor, Jpn. J. Appl. Phys. 62, SA1018-SA1018-6 (2022). [080] Y. Ishikawa, Y. Sugawara, Y. Yao, H. Takeda, H. Aida and K. Tadatomo, Linear dependence of dislocation pattern size on the imprint width and scratch width on (0001) GaN, J. Phys. D: Appl. Phys. 55, 485304-485304-11 (2022). [079] Y. Yao, K. Hirano, Y. Sugawara and Y. Ishikawa, Domain boundaries in ScAlMgO4 single crystal observed by synchrotron radiation X-ray topography and reticulography, Semicond. Sci. Technol. 37, 115009-115009-9 (2022). [078] Y. Yao, Y. Tsusaka, K. Sasaki, A. Kuramata, Y. Sugawara and Y. Ishikawa, Large-area total-thickness imaging and Burgers vector analysis of dislocations in β-Ga2O3 using bright-field x-ray topography based on anomalous transmission, Appl. Phys. Lett. 121, 12105-012105-6 (2022).【Featured Article】 [077] Y. Ishikawa, Y. Sugawara, Y. Yao, H. Takeda, H. Aida and K. Tadatomo, Size of dislocation patterns induced by Vickers indentation in hydride vapor-phase epitaxy GaN, J. Appl. Phys. 131, 225303-225303-7 (2022). [076] Y. Yao, Y. Sugawara, K. Sato, N. Okada, K. Tadatomo and Y. Ishikawa, Observation of threading dislocations with a c+m type Burgers vector in HVPE GaN substrates using multi-photon excitation photoluminescence and TEM, J. Cryst. Growth 592, 126748-126748-6 (2022). [075] Y. Yao, K. Hirano, Y. Sugawara, K. Sasaki, A. Kuramata and Y. Ishikawa, Observation of dislocations in thick β-Ga2O3 single-crystal substrates using Borrmann effect synchrotron x-ray topography, APL Mater. 10, 51101-051101-9 (2022).【Editor's pick】 [074] Y. Yao, Y. Sugawara, K. Sato, D. Yokoe, K. Sasaki, A. Kuramata and Y. Ishikawa, Etch pit formation on β-Ga2O3 by molten KOH+NaOH and hot H3PO4 and their correlation with dislocations, J. Alloys Compd. 910, 164788-164788-7 (2022). [073] Y. Yao, K. Sato, Y. Sugawara, N. Okada, K. Tadatomo, K. Sasaki, A. Kuramata and Y. Ishikawa, Three-dimensional curving of crystal planes in wide bandgap semiconductor wafers visualized using a laboratory X-ray diffractometer, J. Cryst. Growth 583, 126558-126558-8 (2022). [072] Y. Yao, K. Sato, Y. Sugawara and Y. Ishikawa, Mechanism of molten KOH+NaOH etching of GaN revealed by the slopes of etch pits formed at threading dislocations, J. Alloys Compd. 902, 163830-163830-7 (2022). [071] Y. Yao, K. Hirano, H. Yamaguchi, Y. Sugawara, N. Okada, K. Tadatomo and Y. Ishikawa, A synchrotron X-ray topography study of crystallographic defects in ScAlMgO4 single crystals, J. Alloys Compd. 896, 163025-163025-14 (2021). [070] Y. Yao, Y. Sugawara, D. Yokoe, K. Hirano, N. Okada, K. Tadatomo, K. Sasaki, A. Kuramata and Y. Ishikawa, Anisotropic radius of curvature of crystal planes in wide-bandgap semiconductor wafers measured by X-ray diffraction, Jpn. J. Appl. Phys. 60, 128004-128004-5 (2021). [069] N. Okada, R. Sakamoto, K. Ataka, T. Ito, W. Matsumura, L. You, Y. Yao, Y. Ishikawa and K. Tadatomo, Deep ultraviolet emission from multiple quantum wells on flat N-polar AlN templates fabricated using periodical pulsed H2 etching, Jpn. J. Appl. Phys. 60, 125502-125502-6 (2021). [068] Y. Yao, K. Hirano, Y. Takahashi, Y. Sugawara, K. Sasaki, A. Kuramata and Y. Ishikawa, Visualization of the curving of crystal planes in β-Ga2O3 by X-ray topography, J. Cryst. Growth 576, 126376-126376-7 (2021). [067] Y. Ishikawa, Y. Sugawara, Y. Yao, N. Noguchi, Y. Takeda, H. Yamada, M. Shimizu and K. Tadatomo, Generation of dislocations from scratches on GaN formed during wafer fabrication and dislocation reactions during homoepitaxial growth, Jpn. J. Appl. Phys. 60, 115501-115501-5 (2021). [066] S. Suehiro, T. Kimura, D. Yokoe, Y. Yao and Y. Ishikawa, Preparation of crystalline SiC coating from Si and C powder mixture using laser sublimation technique, J. Ceram. Soc. Jpn. 129, 310-314 (2021). [065] Y. Yao, Y. Sugawara, Y. Ishikawa and K. Hirano, X-ray topography of crystallographic defects in wide-bandgap semiconductors using a high-resolution digital camera, Jpn. J. Appl. Phys. 60, 10908-010908-5 (2021). [064] Y. Yao, Y. Sugawara, D. Yokoe, K. Sato, Y. Ishikawa, N. Okada, K. Tadatomo, M. Sudo, M. Kato, M. Miyoshi and T. Egawa, Correlation between structural properties and nonradiative recombination behaviors of threading dislocations in freestanding GaN substrates grown by hydride vapor phase epitaxy, CrystEngComm 22, 8299-8312 (2020).【該当号表紙】 [063] Y. Yao, Y. Ishikawa and Y. Sugawara, Slip planes in monoclinic β-Ga2O3 revealed from its {010} face via synchrotron X-ray diffraction and X-ray topography, Jpn. J. Appl. Phys. 59, 125501-125501-9 (2020). [062] Y. Ishikawa, Y. Sugawara, K. Sato, Y. Yao, N. Okada and K. Tadatomo, Identification of fine structures at the surface of epi-ready GaN wafer observed by confocal differential interference contrast microscopy, Jpn. J. Appl. Phys. 59, 100907-100907-4 (2020). [061] Y. Ishikawa, Y. Sugawara, D. Yokoe and Y. Yao, Screw dislocations on {1-212} pyramidal planes induced by Vickers indentation in HVPE GaN, Jpn. J. Appl. Phys. 59, 91005-091005-7 (2020). [060] Y. Yao, Y. Tsusaka, Y. Ishikawa, Y. Sugawara, Y. Fujita, J. Matsui, N. Okada and K. Tadatomo, Study of dislocations in AlN single-crystal using bright-field synchrotron x-ray topography under a multiple-beam diffraction condition, Appl. Phys. Lett. 117, 92102-092102-5 (2020). [059] K. Ogawa, N. Ogawa, R. Kosaka, T. Isshiki, T. Aiso, M. Iyoki, Y. Yao and Y. Ishikawa, AFM observation of etch-pit shapes on β-Ga2O3 (001) surface formed by molten alkali etching, Mater. Sci. Forum 1004, 512-518 (2020). [058] K. Ogawa, N. Ogawa, R. Kosaka, T. Isshiki, Y. Yao and Y. Ishikawa, Three-dimensional observation of internal defects in a β-Ga2O3 (001) wafer using the FIB-SEM serial sectioning method, J. Electron. Mater. 49, 5190-5195 (2020). [057] W. Yi, A. Kumar, J. Uzuhashi, T. Kimura, R. Tanaka, S. Takashima, M. Edo, Y. Yao, Y. Ishikawa, J. Chen, T. Ohkubo, T. Sekiguchi and K. Hono, Mg diffusion and activation along threading dislocations in GaN, Appl. Phys. Lett. 116, 242103-242103-5 (2020). [056] Y. Yao, Y. Ishikawa and Y. Sugawara, Dislocation classification of a large-area β-Ga2O3 single crystal via contrast analysis of affine-transformed X-ray topographs, J. Cryst. Growth 548, 125825-125825-7 (2020). [055] Y. Yao, Y. Sugawara and Y. Ishikawa, Identification of Burgers vectors of dislocations in monoclinic β-Ga2O3 via synchrotron x-ray topography, J. Appl. Phys. 127, 205110-205110-15 (2020). [054] Y. Yao, Y. Sugawara and Y. Ishikawa, Observation of dislocations in β-Ga2O3 single-crystal substrates by synchrotron X-ray topography, chemical etching, and transmission electron microscopy, Jpn. J. Appl. Phys. 59, 45502-045502-11 (2020). [053] Y. Yao, Y. Sugawara, Y. Ishikawa, N. Okada and K. Tadatomo, Crystallinity evaluation and dislocation observation for an aluminum nitride single-crystal substrate on a wafer scale, J. Electron. Mater. 49, 5144-5153 (2020). [052] T. Ito, R. Sakamoto, T. Isono, Y. Yao, Y. Ishikawa, N. Okada and K. Tadatomo, Growth and characterization of nitrogen‐polar AlGaN/AlN heterostructure for high‐electron‐mobility transistor, Phys. Status Solidi B 257, 1900589-1900589-6 (2020). [051] T. Isono, T. Ito, R. Sakamoto, Y. Yao, Y. Ishikawa, N. Okada and K. Tadatomo, Growth of N‐polar aluminum nitride on vicinal sapphire substrates and aluminum nitride bulk substrates, Phys. Status Solidi B 257, 1900588-1900588-6 (2020). [050] Y. Yao, Y. Ishikawa and Y. Sugawara, Revelation of dislocations in β-Ga2O3 substrates grown by edge-defined film-fed growth, Phys. Status Solidi A 217, 1900630-1900630-6 (2020).【該当号表紙】 [049] Y. Yao, Y. Ishikawa and Y. Sugawara, X-ray diffraction and Raman characterization of β-Ga2O3 single crystal grown by edge-defined film-fed growth method, J. Appl. Phys. 126, 205106-205106-9 (2019).【Editor's Pick】 [048] Y. Yao, Y. Sugawara, Y. Ishikawa, N. Okada, K. Tadatomo, Y. Takahashi and K. Hirano, Observation of dislocations and their arrays in physical vapor transport-grown AlN single-crystal substrate by synchrotron X-ray topography, Jpn. J. Appl. Phys. 58, SCCB29-SCCB29-5 (2019). [047] M. Sudo, Y. Ishikawa, Y. Yao, Y. Sugawara and M. Kato, Expansion of basal plane dislocation in 4H-SiC epitaxial layer on a-plane by electron beam irradiation, Mater. Sci. Forum 924, 151-154 (2018). [046] Y. Ishikawa, M. Sudo, Y. Yao, Y. Sugawara and M. Kato, Expansion of a single Shockley stacking fault in a 4H-SiC (11-20) epitaxial layer caused by electron beam irradiation, J. Appl. Phys. 123, 225101-225101-6 (2018). [045] S. Usami, Y. Ando, A. Tanaka, K. Nagamatsu, M. Deki, M. Kushimoto, S. Nitta, Y. Honda, H. Amano, Y. Sugawara, Y. Yao and Y. Ishikawa, Correlation between dislocations and leakage current of p-n diodes on a free-standing GaN substrate, Appl. Phys. Lett. 112, 182106-182106-4 (2018). [044] Y. Yao, Y. Ishikawa, Y. Sugawara, Y. Takahashi and K. Hirano, Observation of threading dislocations in ammonothermal gallium nitride single crystal using synchrotron X-ray topography, J. Electron. Mater. 47, 5007-5012 (2018). [043] Y. Yao, Y. Ishikawa, Y. Sugawara, D. Yokoe, M. Sudo, N. Okada and K. Tadatomo, Dislocation revelation and categorization for thick free-standing GaN substrates grown by HVPE, Mater. Sci. Forum 897, 707-710 (2017). [042] Y. Yao, Y. Ishikawa, Y. Sugawara, Y. Takahashi and K. Hirano, Elementary screw and mixed-type dislocations in 4H-SiC characterized by X-ray topography taken with six equivalent 11-28 g-vectors and a comparison to etch pit evaluation, Mater. Sci. Forum 897, 185-188 (2017). [041] Y. Yao, Y. Ishikawa, M. Sudo, Y. Sugawara and D. Yokoe, Characterization of threading dislocations in GaN (0001) substrates by photoluminescence imaging, cathodoluminescence mapping and etch pits, J. Cryst. Growth 468, 484-488 (2017). [040] Y. Yao, Y. Ishikawa, Y. Sugawara, K. Sato, K. Danno, T. Shirai, K. Sato, T. Bessho, Y. Takahashi, Y. Yamashita and K. Hirano, Dislocations in SiC revealed by NaOH vapor etching and a comparison with X-ray topography taken with various g-vectors, Mater. Sci. Forum 858, 389-392 (2016). [039] Y. Yao, Y. Ishikawa, Y. Sugawara, D. Yokoe, M. Sudo, N. Okada and K. Tadatomo, Revelation of dislocations in HVPE GaN single crystal by KOH etching with Na2O2 additive and cathodoluminescence mapping, Superlattice Microst. 99, 83-87 (2016). [038] Y. Yao, Y. Ishikawa, Y. Sugawara, H. Yamada, A. Chayahara and Y. Mokuno, Fast removal of surface damage layer from single crystal diamond by using chemical etching in molten KCl + KOH solution, Diam. Relat. Mater. 63, 86-89 (2016). [037] Y. Yao, Y. Ishikawa, Y. Sugawara and K. Sato, Removal of mechanical-polishing-induced surface damages on 4H-SiC by chemical etching and its effect on subsequent epitaxial growth, Mater. Sci. Forum 821-823, 541-544 (2015). [036] Y. Sugawara, Y. Yao, Y. Ishikawa, K. Danno, H. Suzuki, T. Bessho, S. Yamaguchi, K. Nishikawa and Y. Ikuhara, Characterization of threading edge dislocation in 4H-SiC by X-ray topography and transmission electron microscopy, Mater. Sci. Forum 778-780, 366-369 (2014). [035] Y. Ishikawa, Y. Yao, K. Sato, Y. Sugawara, Y. Okamoto and N. Hayashi, Characterization of damage induced by electric discharge machining and wiresawing with loose abrasive at subsurface of SiC crystal, Mater. Sci. Forum 778-780, 362-365 (2014). [034] Y. Ishikawa, Y. Yao, Y. Sugawara, K. Sato, Y. Okamoto, N. Hayashi, B. Dierre, K. Watanabe and T. Sekiguchi, Comparison of slicing-induced damage in hexagonal SiC by wire sawing with loose abrasive, wire sawing with fixed abrasive, and electric discharge machining, Jpn. J. Appl. Phys. 53, 71301-071301-11 (2014). [033] Y. Yao, Y. Ishikawa, Y. Sugawara and K. Sato, Removal of mechanical-polishing-induced surface damages on 4H-SiC wafers by using chemical etching with molten KCl+KOH, Mater. Sci. Forum 778-780, 746-749 (2014). [032] Y. Yao, Y. Ishikawa, Y. Sugawara, K. Sato, K. Danno, H. Suzuki, H. Sakamoto, T. Bessho, S. Yamaguchi and K. Nishikawa, Dislocation revelation for 4H-SiC by using vaporized NaOH a possible way to distinguish edge, screw and mixed threading dislocations by etch pit method, Mater. Sci. Forum 778-780, 346-349 (2014). [031] Y. Yao, Y. Ishikawa, Y. Sugawara, K. Sato, T. Shirai, K. Danno, H. Suzuki, H. Sakamoto, T. Bessho, B. Dierre, K. Watanabe and T. Sekiguchi, Cross-sectional observation of stacking faults in 4H-SiC by KOH etching on nonpolar {1-100} face, cathodoluminescence imaging, and transmission electron microscopy, Jpn. J. Appl. Phys. 53, 81301-081301-8 (2014). [030] Y. Yao, Y. Ishikawa, K. Sato, Y. Sugawara, K. Danno, H. Suzuki and T. Bessho, Large-area mapping of dislocations in 4H-SiC from carbon-face (000-1) by using vaporized KOH etching near 1000 oC, Mater. Sci. Forum 740-742, 829-832 (2013). [029] Y. Yao, Y. Ishikawa, Y. Sugawara, K. Sato, K. Danno, H. Suzuki, T. Bessho, S. Yamaguchi and K. Nishikawa, Correlation between etch pits formed by molten KOH+Na2O2 etching and dislocation types in heavily doped n+-4H-SiC studied by X-ray topography, J. Cryst. Growth 364, 7-10 (2013). [028] Y. Sugawara, Y. Yao, Y. Ishikawa, K. Danno, H. Suzuki, T. Bessho, Y. Kawai and Y. Ikuhara, Characterization of dislocation structures in hexagonal SiC by transmission electron microscopy, Mater. Sci. Forum 725, 11-14 (2012). [027] Y. Sugawara, M. Nakamori, Y. Yao, Y. Ishikawa, K. Danno, H. Suzuki, T. Bessho, S. Yamaguchi, K. Nishikawa and Y. Ikuhara, Transmission electron microscopy analysis of a threading dislocation with c+a Burgers vector in 4H-SiC, Appl. Phys. Express 5, 81301-081301-3 (2012). [026] Y. Ishikawa, K. Sato, Y. Okamoto, N. Hayashi, Y. Yao and Y. Sugawara, Dislocation formation in epitaxial film by propagation of shallow dislocations on 4H-SiC substrate, Mater. Sci. Forum 717-720, 383-386 (2012). [025] Y. Ishikawa, Y. Yao, Y. Sugawara, K. Danno, H. Suzuki, Y. Kawai and N. Shibata, Variation of etch pit size by screw dislocation tilt in 4H-SiC wafer, Mater. Sci. Forum 717-720, 367-370 (2012). [024] Y. Yao, T. Sekiguchi, T. Ohgaki, Y. Adachi and N. Ohashi, Influence of substrate nitridation on GaN and InN growth by plasma-assisted molecular-beam epitaxy, J. Ceram. Soc. Jpn. 120, 513-519 (2012).【セラ協論文賞】 [023] Y. Yao, Y. Sugawara, Y. Ishikawa, K. Danno, H. Suzuki, T. Bessho, Y. Kawai and N. Shibata, Different dissociation behavior of [11-20] and non-[11-20] basal plane dislocations in 4H-SiC under electron beam irradiation, Mater. Sci. Forum 725, 45-48 (2012). [022] Y. Yao, K. Sato, Y. Sugawara, Y. Ishikawa, Y. Okamoto and N. Hayashi, Electron beam induced current observation of dislocations in 4H-SiC introduced by mechanical polishing, Mater. Sci. Forum 725, 23-26 (2012). [021] Y. Yao, Y. Ishikawa, K. Sato, Y. Sugawara, K. Danno, H. Suzuki and T. Bessho, Dislocation revelation from (000-1) carbon-face of 4H-SiC by using vaporized KOH at high temperature, Appl. Phys. Express 5, 75601-075601-3 (2012).【応物論文賞】 [020] Y. Ishikawa, Y. Yao, K. Sato, Y. Sugawara, K. Danno, H. Suzuki, T. Bessho, Y. Kawai and N. Shibata, Detection of shallow dislocations on 4H-SiC substrate by etching method, Acta Phys. Pol. A 120, A-25-A-27 (2011). [019] Y. Yao, Y. Sugawara, Y. Ishikawa, H. Saitoh, K. Danno, H. Suzuki, Y. Kawai and N. Shibata, A simultaneous observation of dislocations in 4H-SiC epilayer and n+-substrate by using electron beam induced current, J. Appl. Phys. 109, 123524-123524-5 (2011). [018] Y. Yao, Y. Ishikawa, Y. Sugawara, H. Saitoh, K. Danno, H. Suzuki, Y. Kawai and N. Shibata, Molten KOH etching with Na2O2 additive for dislocation revelation in 4H-SiC epilayers and substrates, Jpn. J. Appl. Phys. 50, 75502-075502-7 (2011). [017] Y. Yao, Y. Sugawara, Y. Ishikawa, H. Saitoh, K. Danno, H. Suzuki, Y. Kawai and N. Shibata, Dislocation analysis in highly doped n-type 4H-SiC by using electron beam induced current and KOH+Na2O2 etching, Mater. Sci. Forum 679-680, 294-297 (2011). [016] Y. Yao, Y. Ishikawa, Y. Sugawara, H. Saitoh, K. Danno, H. Suzuki, Y. Kawai and N. Shibata, Dislocation revelation in highly doped n-type 4H-SiC by molten KOH etching with Na2O2 additive, Mater. Sci. Forum 679-680, 290-293 (2011). [015] Y. Yao, T. Ohgaki, N. Fukata, Y. Adachi, Y. Wada, H. Haneda and N. Ohashi, Nitrogen isotopic effect in Ga15N epifilms grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy, Scr. Mater. 62, 516-519 (2010). [014] Y. Yao, T. Sekiguchi, T. Ohgaki, Y. Adachi and N. Ohashi, Investigation on buffer layer for InN growth by molecular beam epitaxy, J. Ceram. Soc. Jpn. 118, 152-156 (2010). [013] Y. Wang, B. Dierre, T. Sekiguchi, Y. Yao, X.L. Yuan, F. Xu and B. Shen, Surface effects on the luminescence degradation of hydride vapor-phase epitaxy-grown GaN induced by electron-beam irradiation, J. Vac. Sci. Technol. A 27, 611-613 (2009). [012] T. Yamada, H. Yamane, Y. Yao, M. Yokoyama and T. Sekiguchi, Growth of colorless transparent GaN single crystals on prismatic GaN seeds using a Ga melt and Na vapor, Mater. Res. Bull. 44, 594-599 (2009). [011] Y. Yao, T. Sekiguchi, T. Ohgaki, Y. Adachi, N. Ohashi, H. Okuno and M. Takeguchi, Periodic supply of indium as surfactant for N-polar InN growth by plasma-assisted molecular-beam epitaxy, Appl. Phys. Lett. 95, 41913-041913-3 (2009). [010] Y. Yao, T. Ohgaki, K. Matsumoto, I. Sakaguchi, Y. Wada, H. Haneda, T. Sekiguchi and N. Ohashi, Growth and characterization of isotopic natGa15N by molecular-beam epitaxy, Phys. Status Solidi C 6, S707-S710 (2009). [009] B. Dierre, X.L. Yuan, Y. Yao, M. Yokoyama and T. Sekiguchi, Impact of electron beam irradiation on the cathodoluminescence intensity for ZnO and GaN, J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 19, S307-S310 (2008). [008] Y. Yao, T. Sekiguchi, N. Ohashi, Y. Adachi and T. Ohgaki, Photoluminescence and x-ray diffraction measurements of InN epifilms grown with varying In/N ratio by plasma-assisted molecular-beam epitaxy, Appl. Phys. Lett. 92, 211910-211910-3 (2008). [007] Y. Yao, T. Sekiguchi, Y. Sakuma, N. Ohashi, Y. Adachi, H. Okuno and M. Takeguchi, InN Growth by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy with Indium Monolayer Insertion, Cryst. Growth Des. 8, 1073-1077 (2008). [006] T. Yamada, H. Yamane, T. Goto, T. Yao, Y. Yao and T. Sekiguchi, Luminescence of GaN single crystals prepared by heating a Ga melt in Na-N2 atmosphere, Cryst. Res. Technol. 42, 713-717 (2007). [005] Y. Yao, T. Sekiguchi, Y. Sakuma and N. Ohashi, The influence of indium monolayer insertion on the InN epifilm grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy, J. Cryst. Growth 301-302, 521-524 (2007). [004] T. Sekiguchi, M.R. Chandra, Y. Yao, X.L. Yuan, K. Tsuji and J.Y. Kang, Effect of the oblique excitation and detection on the cathodoluminescence spectra, Mater. Sci. Semicond. Process. 9, 19-24 (2006). [003] Y. Yao, T. Sekiguchi, Y. Sakuma, M. Miyamura and Y. Arakawa, Cathodoluminescence characterization of GaN quantum dots grown on 6H-SiC substrate by metal-organic chemical vapor deposition, Scr. Mater. 55, 679-682 (2006). [002] R. Yue, Y. Yao and L. Liu, Blue-green light emission from a-SiCx:H-based Fabry-Perot microcavities, Chinese Phys. Lett. 23, 482-485 (2006). [001] R. Buckmaster, J.H. Yoo, K. Shin, Y. Yao, T. Sekiguchi, M. Yokoyama, T. Hanada, T. Goto, M. Cho, Y. Kawazoe and T. Yao, GaN nanodot fabrication by implant source growth, Microelectronics J. 36, 456-459 (2005). ＝＝＝★＝＝＝メディア報道＝＝＝★＝＝＝ [17] β型酸化ガリウム結晶の格子欠陥可視化、品質改善に道筋 【インターネットメディア 日経XTECH 2023年1月】 [16] β型酸化ガリウム結晶の非破壊検査手法を開発 JFCCなど研究グループ 【インターネットメディア fabcross for エンジニア 2023年1月】 [15] 酸化ガリウムの結晶欠陥、撮影に成功した意義 【インターネットメディア Yahooニュース 2022年12月】 [14] β型酸化ガリウム結晶の非破壊検査手法を開発 【インターネットメディア fabcross for エンジニア 2022年12月】 [13] X線の異常透過現象を利用 β型酸化ガリウム結晶の格子欠陥を非破壊で検出 【インターネットメディア EE Times Japan 2022年12月】 [12] β型酸化ガリウム結晶欠陥を可視化ー「異常透過現象」利用 【新聞・雑誌 化学工業日報 2022年12月】 [11] ファインセラセンターなど、酸化ガリウムの結晶欠陥撮影 Ｘ線異常透過現象を利用 【新聞・雑誌 日刊工業新聞 2022年12月】 [10] 半導体基板の原子レベルの湾曲を3Dで可視化―新たな加工技術などの応用に期待 【新聞・雑誌 毎日新聞 2022年7月】 [09] 次世代半導体の高性能化を後押しする新技術 【新聞・雑誌 フジサンケイ ビジネスアイ 2020年9月】 [08] 窒化ガリウム結晶欠陥 JFCC・高エネ機構が非破壊検出技術 【新聞・雑誌 日刊工業新聞 2018年8月】 [07] GaN結晶の欠陥を短時間かつ非破壊で検出する方法を確立―青色LEDなどの高品質化を加速 【インターネットメディア fabcross for エンジニア 2018年8月】 [06] 窒化ガリウム結晶の欠陥を正確に非破壊で検出可能に―次世代パワーデバイスの開発加速 【インターネットメディア つくばサイエンスニュース 2018年7月】 [05] JFCCら、大面積のGaN結晶から各種欠陥を検出 【インターネットメディア OPTRONICS ONLINE 2018年7月】 [04] 窒化ガリウム結晶 非破壊で欠陥検出 JFCC-KEK X線回折を利用 【新聞・雑誌 化学工業日報 2018年7月】 [03] 次世代半導体材料の結晶を簡単、短時間に評価～アルカリ性溶解液で欠陥を検出～ 【新聞・雑誌 毎日新聞 2016年6月】 [02] 次世代パワーデバイス材料4H-SiCカーボン面転位検出技術の開発 【新聞・雑誌 中部経済新聞 2013年6月】 [01] 欠陥を容易に検出～デバイス品質向上 期待～ 【新聞・雑誌 化学工業日報 2011年7月】 ＝＝＝★＝＝＝知財特許＝＝＝★＝＝＝ [13] 特許第7909924号 結晶欠陥評価装置、結晶欠陥評価方法、結晶欠陥評価のためのコンピュータプログラムおよびインライン結晶欠陥評価システム【発明者：姚 永昭, 石川 由加里、2022年9月13日】 [12] 特許第7791673号 半導体基板の結晶面の形状評価方法および形状評価装置、ならびに、半導体基板の結晶面の形状評価を行うためのコンピュータプログラム【発明者：姚 永昭, 石川 由加里, 菅原 義弘、2021年9月13日】 [11] 特許第7292089号 炭化珪素膜の製造方法【発明者：末廣 智, 木村 禎一, 姚 永昭、2019年4月22日】 [10] 特許第7228440号 転位の評価方法および転位の評価を行うためのコンピュータプログラム【発明者：姚 永昭, 石川 由加里、2019年3月28日】 [09] 特許第6890979号 窒化物系半導体の非極性面のエッチング方法および窒化物系半導体の非極性面における結晶欠陥の検出方法【発明者：姚 永昭, 石川 由加里、2017年】 [08] 特許第6574104号 窒化物系半導体のエッチング方法および窒化物系半導体の結晶欠陥検出方法【発明者：姚 永昭, 石川 由加里、2015年】 [07] 特許第6461593号 窒化物系半導体基板のエッチング方法、窒化物系半導体膜の作成方法【発明者：姚 永昭, 石川 由加里、2014年】 [06] 特許第6422157号 ダイヤモンドのエッチング方法、ダイヤモンドの結晶欠陥の検出方法、およびダイヤモンド結晶の結晶成長方法【発明者：姚 永昭, 石川 由加里, 山田 英明, 茶谷原 昭義、2014年】 [05] 特許第6022972号 SiC結晶の検査方法及びそれを用いたSiC結晶の製造方法【発明者：旦野 克典, 石川 由加里, 姚 永昭, 佐藤 功二、2013年】 [04] 特許第6329733号 半導体ウェハのエッチング方法、半導体ウェハとその製造方法および半導体ウェハの結晶欠陥検出方法【発明者：姚 永昭, 石川 由加里、2013年】 [03] 特許第5558268号 半導体単結晶基板の欠陥観察方法【発明者：旦野 克典, 斎藤 広明, 石川 由加里, 姚 永昭, 菅原 義弘, 柴田 典義、2010年】 [02] 特許第5519305号 炭化珪素単結晶の欠陥検出方法【発明者：旦野 克典, 斎藤 広明, 石川 由加里, 姚 永昭, 柴田 典義、2010年】 [01] 特許第4873705号 窒化インジウム(InN)あるいは高インジウム組成を有する窒化インジウムガリウム(InGaN)エピタキシャル薄膜の形成方法【発明者：佐久間 芳樹, 姚 永昭, 関口 隆史, 大橋 直樹、2006年】 ＝＝＝★＝＝＝外部資金＝＝＝★＝＝＝ [23] 2025年6月 - 2028年3月 （分担）SiC基板の普及を促進する革新的製法の開発 【国立研究開発法人新エネルギー産業技術総合開発機構: 脱炭素社会実現に向けた省エネルギー技術の研究開発・社会実装促進プログラム】 [22] 2025年4月 - 2028年3月 （分担）β型酸化ガリウム結晶品質向上のための転位の構造同定 【独立行政法人 日本学術振興会: 科学研究費助成事業・基盤 (C)】 [21] 2025年4月 - 2028年3月 （分担）日本の半導体産業再興への道を拓く酸化ガリウムの新規バルク単結晶成長法の開発 【独立行政法人 日本学術振興会: 科学研究費助成事業・基盤 (A)】 [20] 2024年4月 - 2027年3月 （分担）AlN基板を用いた窒化物半導体新規電子デバイス構造の提案と結晶成長 【独立行政法人 日本学術振興会: 科学研究費助成事業・基盤 (B)】 [19] 2023年7月 - 2027年3月 （代表）実動作中のワイドギャップ半導体パワーデバイスにおける転位の動的な挙動の観察 【独立行政法人 日本学術振興会: 科学研究費助成事業・挑戦的研究（開拓）】 [18] 2023年4月 - 2027年3月 （代表）パワーデバイス劣化機構の解明に向けた格子欠陥のオペランド観察技術の開発 【独立行政法人 日本学術振興会: 科学研究費助成事業・基盤 (B)】 [17] 2025年4月 - 2026年3月 （代表）解釈可能なAIを用いた実動作中のパワーデバイスにおけるキラー欠陥の特徴抽出 【公益財団法人 岩谷直治記念財団: 2024年度（第51回）研究助成】 [16] 2024年4月 - 2026年3月 （分担）高品質β-Ga2O3単結晶育成のためのAI計算を用いた新規ルツボフリー結晶成長法の開発 【文部科学省: 革新的パワーエレクトロニクス創出基盤技術研究開発事業】 [15] 2023年4月 - 2026年3月 （分担）ワイドバンドギャップ半導体結晶の加工変質層厚に非破壊評価法の開発 【日本学術振興会: 科学研究費助成事業 基盤研究(C)】 [14] 2023年4月 - 2024年3月 （代表）実動作中のパワーデバイスにおける転位挙動のオペランド観測法の開発 【公益財団法人 池谷科学技術振興財団: 2023年度 研究助成】 [13] 2023年3月 - 2024年3月 （代表）β型Ga2O3パワーデバイスにおける結晶欠陥挙動の観測 【公益財団法人 日立財団: 倉田奨励金】 [12] 2022年11月 - 2023年11月 （代表）動作中のβ型酸化ガリウムパワーデバイスにおける結晶欠陥挙動のオペランド観測 【公益財団法人 住友財団: 2022年度基礎科学研究助成】 [11] 2020年4月 - 2023年3月 （分担）ワイドバンドギャップ半導体結晶の加工導入欠陥構造・導入メカニズムの解明 【日本学術振興会: 科学研究費助成事業 基盤研究(C)】 [10] 2020年4月 - 2023年3月 （代表）低損失パワーデバイス用半導体材料β-Ga2O3の転位評価技術の開発 【公益財団法人 日本板硝子材料工学助成会: 2020年度助成金】 [9] 2020年4月 - 2023年3月 （代表）次世代パワー半導体β型酸化ガリウムの大面積転位検出分類法の開発 【独立行政法人 日本学術振興会: 科学研究費助成事業・基盤C】 [8] 2022年1月 - 2022年12月 （代表）次世代パワー半導体材料における結晶欠陥の非破壊三次元可視化技術の開発 【公益財団法人 大倉和親記念財団: 2021年度 研究助成】 [7] 2021年10月 - 2022年9月 （代表）多波回折条件下の明視野放射光X線トポグラフィーによるβ型Ga2O3パワーデバイス内の格子欠陥の動的観察 【公益財団法人 村田学術振興財団: 2021年度研究助成】 [6] 2017年10月 - 2022年9月 （代表）AlNを用いたヘテロ接合型超高耐圧・大電流パワーデバイスとAlN結晶評価技術の開発 【国立研究開発法人 新エネルギー・産業技術総合開発機構: エネルギー・環境新技術先導プログラム／未踏チャレンジ2050】 [5] 2017年4月 - 2020年3月 （分担）4H-SiC非極性面の欠陥と表面形状が酸化膜へ及ぼす影響の検討 【日本学術振興会: 科学研究費助成事業 基盤研究(C)】 [4] 2016年4月 - 2018年3月 （代表）次世代パワー半導体材料酸化ガリウムの結晶欠陥検出法の開発 【独立行政法人 日本学術振興会: 科学研究費助成事業・若手研究B】 [3] 2015年4月 - 2018年3月 （分担）GaN結晶評価技術の開発 【国立研究開発法人 科学技術振興機構: 研究成果展開事業 スーパークラスタープログラム】 [2] 2014年4月 - 2017年3月 （分担）SiC結晶表面に機械加工で導入された結晶欠陥の形成メカニズムの解明 【日本学術振興会: 科学研究費助成事業 基盤研究(C)】 [1] 2012年11月 - 2013年10月 （代表）パワーデバイス用炭化珪素ウエハに対する低欠陥加工技術の開発 【国立研究開発法人 科学技術振興機構: 研究成果展開事業 研究成果最適展開支援プログラム(A-STEP)】 |
||||||||||||||||